[实用新型]一种硅基砷化镓太阳能电池外延结构有效
| 申请号： | 201821358223.5 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN208781869U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 黄文洋 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;逄京喜 |
| 地址： | 102299 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅基砷化镓太阳能电池外延结构，包括硅衬底以及依次设于所述硅衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、反射层、PN结层、光吸收层、窗口层和接触层。与现有技术相比，在保证硅基砷化镓太阳能电池与砷化镓基或者锗基砷化镓太阳能电池具有相当光电转换效率的前提下，本实用新型可以显著降低生产砷化镓太阳能电池的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓太阳能电池 硅基 本实用新型 外延结构 硅衬底 光电转换效率 低温缓冲层 高温缓冲层 光吸收层 降低生产 砷化镓基 窗口层 反射层 接触层 锗基 保证 | ||
【主权项】：
1.一种硅基砷化镓太阳能电池外延结构，其特征在于，包括硅衬底以及依次设于所述硅衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、反射层、PN结层、光吸收层、窗口层和接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
