[实用新型]一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器

摘要

本实用新型涉及紫外探测器技术领域，具体涉及一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器。该紫外探测器包括底材、设置于底材上表面的复合层、以及对称卡设于复合层两侧的金属电极；复合层包括电极层、SiO₂/Si₃N₄复合绝缘层、IGZO沟道层和纳米金属颗粒，SiO₂/Si₃N₄复合绝缘层呈倒扣状包覆于电极层的表面；金属电极下表面与底材上表面连接；纳米金属颗粒在IGZO沟道层上表面的分布密度为1*10⁶‑1*10¹²/cm²。本实用新型的紫外探测器采用薄膜晶体管型的特殊结构，暗电流较小，当有紫外光照射时，IGZO沟道层能吸收紫外光产生光载流子，形成较大的源漏电流，形成紫外探测器的光电流，紫外探测敏感度高。

主权项

1.一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于：包括底材、设置于所述底材上表面的复合层、以及对称卡设于所述复合层两侧的金属电极；所述复合层包括电极层、SiO₂/Si₃N₄复合绝缘层、IGZO沟道层和纳米金属颗粒，所述电极层的下表面与所述底材的上表面连接，所述SiO₂/Si₃N₄复合绝缘层呈倒扣状包覆于所述电极层的表面，所述IGZO沟道层设置于所述SiO₂/Si₃N₄复合绝缘层的上表面，所述纳米金属颗粒分布于所述IGZO沟道层的上表面；所述SiO₂/Si₃N₄复合绝缘层的两侧和IGZO沟道层的两侧均与所述金属电极连接，所述金属电极的下表面与所述底材的上表面连接；所述纳米金属颗粒在IGZO沟道层上表面的分布密度为1*10⁶‑1*10¹²/cm²。