[实用新型]片式同步整流器件有效

专利信息
申请号: 201821366212.1 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN208655640U 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 李继远;张庆猛;崔同;张洪亮;季群;王丽;祁伟 申请(专利权)人: 济南晶恒电子有限责任公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 赵玉凤
地址: 250000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型公开一种片式同步整流器件,将MOSFET芯片,控制IC芯片及蓄能元件集成在金属框架上,外形采用小型环氧树脂包封体片式封装,外形尺寸占板面积等同于PCB板上的单只整流二极管,可以直接代替,用户在不增加PCB面积的同时,增加了同步整流功能,大幅降低成本,提高生产效率。在金属框架上设置第一过渡键合区和第二过渡键合区,第一键合点在芯片上,第二键合点在金属框架上,避免键合工艺过程劈刀对芯片的损伤,保障键合丝拉力符合要求,防止连接开路现象,提高片式同步整流器件的良率和可靠性。
搜索关键词: 同步整流器 金属框架 片式 键合点 键合区 芯片 环氧树脂包封 本实用新型 控制IC芯片 整流二极管 键合工艺 片式封装 生产效率 同步整流 蓄能元件 键合丝 良率 劈刀 占板 开路 损伤
【主权项】:
1.一种片式同步整流器件,其特征在于:包括金属框架,金属框架上设有片式同步整流器件的正极和负极,金属框架上还设有MOSFET芯片粘片区、控制IC芯片粘片区、蓄能元件粘片区、第一过渡键合区和第二过渡键合区,控制IC粘片区与片式同步整流器件的负极相连,蓄能元件粘片区与片式同步整流器件的正极相连;MOSFET芯片的漏极焊接在MOSFET芯片粘片区,源极通过键合丝与片式同步整流器件的正极相连,控制IC芯片粘接在控制IC芯片粘片区,控制IC芯片与MOSFET芯片的栅极之间用键合丝通过第一过渡键合区连接,蓄能元件粘接在蓄能元件粘片区,一端与片式同步整流器件的正极相连,另一端与控制IC芯片用键合丝通过第二过渡键合区连接。
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