[实用新型]一种衰减器的衰减电路有效
| 申请号： | 201821369047.5 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN208316693U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 赵秀冕 | 申请（专利权）人： | 北京国科欣翼科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 秦月贞 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种衰减器的衰减电路，包括输入端子一和输入端子二，所述输入端子一连接MOS管一的源极，所述MOS管一的漏极连接二极管一的正极、二极管二的负极、MOS管二的源极和MOS管三的源极，所述二极管一的负极和二极管二的正极均与输入端子二连接，所述MOS管二的漏极与输出端子三连接，所述MOS管三的漏极连接二极管二的正极和输出端子四。本实用新型的二极管一和二极管二具有单向导通的特性，且电容作为储能元件和放能元件可以实现平坦的衰减特性。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 输入端子 正极 漏极 源极 本实用新型 负极 输出端子 衰减电路 衰减器 储能元件 单向导通 放能元件 衰减特性 电容 平坦 | ||
【主权项】：
1.一种衰减器的衰减电路，其特征在于，包括输入端子一（1）和输入端子二（2），所述输入端子一（1）连接MOS管一（5）的源极，所述MOS管一（5）的漏极连接二极管一（8）的正极、二极管二（9）的负极、MOS管二（6）的源极和MOS管三（7）的源极，所述二极管一（8）的负极和二极管二（9）的正极均与输入端子二（2）连接，所述MOS管二（6）的漏极与输出端子三（3）连接，所述MOS管三（7）的漏极连接二极管二（9）的正极和输出端子四（4）。
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