[实用新型]LED芯片

摘要

本实用新型实施例提供了一种LED芯片，包括：依次形成在衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；形成在第二导电类型半导体层的缺口，暴露出部分第一导电类型半导体层；形成在衬底边缘位置的第一通孔和第二通孔；形成在第一通孔内壁的第一内壁绝缘层和形成在第二通孔内壁的第二内壁绝缘层；形成在第一内壁绝缘层内的第一金属附着层，延伸至第二导电类型半导体层表面和衬底表面；形成在第二内壁绝缘层内的第二金属附着层，延伸至第一导电类型半导体层表面和衬底表面。本实用新型提供的技术方案，通过通孔内填充的金属附着层，分别将LED芯片内的半导体层的电信号引出，提高了LED芯片的稳定性，提升了LED芯片的产品性能。

主权项

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；依次形成在衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；形成在所述第二导电类型半导体层边缘位置的缺口，贯穿所述第二导电类型半导体层和所述发光层，暴露出部分所述第一导电类型半导体层；形成在所述衬底边缘位置的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔贯穿所述衬底、所述第一导电类型半导体层、所述发光层和所述第二导电类型半导体层；所述第二通孔，在垂直于所述衬底长度的延伸方向上，所述第二通孔在所述衬底上的投影位于所述缺口在所述衬底上的投影内，所述第二通孔贯穿所述衬底和所述第一导电类型半导体层；形成在所述第一通孔内壁的第一内壁绝缘层和形成在所述第二通孔内壁的第二内壁绝缘层；形成在所述第一内壁绝缘层内的第一金属附着层，延伸至所述第二导电类型半导体层表面和所述衬底表面；形成在所述第二内壁绝缘层内的第二金属附着层，延伸至所述第一导电类型半导体层表面和所述衬底表面。