[实用新型]高导通低电容的Trench IGBT有效
| 申请号： | 201821419258.5 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN208622732U | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 薛涛;关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞;程强强 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种高导通低电容的Trench IGBT，包括IGBT芯片本体，IGBT芯片本体包括P基区，IGBT芯片本体上开有沟槽，P基区的下端设置氧化层隔离带，沟槽的底部设置沟槽底部氧化层；本实用新型采用多层外延设计制作P基区下方的氧化层隔离带其厚度为0.1‑5微米，使空穴到达此处后受到氧化层隔离带的阻挡，减少空穴从P基区流走的数量大大降低此区域的电阻率，提高产品的导通效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基区 隔离带 氧化层 空穴 本实用新型 低电容 高导 半导体技术领域 沟槽底部氧化层 电阻率 导通 多层 下端 阻挡 制作 | ||
【主权项】：
1.一种高导通低电容的Trench IGBT，包括IGBT芯片本体，IGBT芯片本体包括P基区(5)，IGBT芯片本体上开有沟槽，其特征在于，P基区(5)的下端设置氧化层隔离带(6)，沟槽的底部设置沟槽底部氧化层(11)。
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