[实用新型]一种MOSFET封装结构有效

专利信息
申请号: 201821419307.5 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN208873714U 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 葛诗方;葛俊华;吴云霞 申请(专利权)人: 宁波方达新能源有限公司
主分类号: H01L23/40 分类号: H01L23/40;H01L23/367
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 刘凤钦
地址: 315609 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及一种MOSFET封装结构,该MOSFET芯片包括导热壳体和固定结构,固定结构包括与导热壳体一端相连接的连接部和由连接部向导热壳体另一端延伸的弹性部,弹性部始终具有向导热壳体倾斜的趋势,MOSFET芯片位于弹性部与导热壳体之间。固定结构将MOSFET芯片紧紧固定在导热壳体上,这样不仅能够保证导热壳体对MOSFET芯片的导热效果,还能保证整个封装的绝缘性,不会因为在封装上开口导致绝缘性被破坏,弹性部的设置可以保证既能将MOSFET芯片固定,而又具有一定回弹性,不会损坏封装,且拆装方便。
搜索关键词: 导热壳体 弹性部 固定结构 封装 绝缘性 热壳体 本实用新型 拆装方便 导热效果 回弹性 上开口 保证 延伸
【主权项】:
1.一种MOSFET封装结构,包括导热壳体(1)和用以将MOSFET芯片(100)固定在导热壳体(1)上的固定结构(2),其特征在于:所述固定结构(2)包括与导热壳体(1)第一端相连接的连接部(21)和由连接部(21)向导热壳体(1)第二端延伸的弹性部(22),所述弹性部(22)始终具有将MOSFET芯片(100)压设在导热壳体(1)上的趋势。
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