[实用新型]硅通孔容错电路和集成电路有效

专利信息
申请号: 201821427928.8 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN208655629U 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 杨正杰 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L27/02
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了一种硅通孔容错电路和集成电路,涉及集成电路技术领域。该硅通孔容错电路包括:工作硅通孔;备用硅通孔;容错控制模块,分别与工作硅通孔和备用硅通孔相连接;解码器,与容错控制模块连接;其中,容错控制模块基于解码器的工作硅通孔的位置编码断开工作硅通孔以及开通备用硅通孔。本公开可以降低基于硅通孔的三维集成电路芯片的失效率。
搜索关键词: 硅通孔 容错控制模块 容错电路 备用 解码器 集成电路 集成电路技术 三维集成电路 本实用新型 位置编码 失效率 断开 芯片 开通
【主权项】:
1.一种硅通孔容错电路,其特征在于,包括:工作硅通孔;备用硅通孔;容错控制模块,分别与所述工作硅通孔和所述备用硅通孔相连接;解码器,与所述容错控制模块连接;其中,所述容错控制模块基于所述解码器的所述工作硅通孔的位置编码断开所述工作硅通孔以及开通所述备用硅通孔。
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