[实用新型]存储装置及半导体器件有效
| 申请号： | 201821428686.4 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN208655619U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/065;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种存储装置及半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括第一芯片、第二芯片、连接孔和导电体，第一芯片具有第一焊盘；第二芯片的数量为多个，每个第二芯片均具有第二焊盘，各第二芯片堆叠设置于第一芯片，分属不同第二芯片的第二焊盘与第一焊盘呈阶梯状分布，且分属任意相邻两第二芯片的第二焊盘在第一芯片上的投影部分重合；连接孔穿过各第二芯片，连接孔露出第一焊盘，连接孔包括多个孔段，各孔段一一对应的位于各第二芯片内，且任一孔段露出其所在第二芯片的第二焊盘的部分区域；导电体设于连接孔内，对应于连接孔的第一焊盘和各第二焊盘均与导电体连接。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 焊盘 连接孔 半导体器件 孔段 存储装置 导电体 半导体技术领域 导电体连接 阶梯状分布 芯片堆叠 重合 投影 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一芯片，具有第一焊盘；多个第二芯片，每个所述第二芯片均具有第二焊盘，各所述第二芯片堆叠设置于所述第一芯片，分属不同第二芯片的第二焊盘与所述第一焊盘呈阶梯状分布，且分属任意相邻两所述第二芯片的第二焊盘在所述第一芯片上的投影部分重合；连接孔，穿过各所述第二芯片，所述连接孔露出所述第一焊盘，所述连接孔包括多个孔段，各所述孔段一一对应的位于各所述第二芯片内，且任一所述孔段露出其所在第二芯片的第二焊盘的部分区域；导电体，设于所述连接孔内，对应于所述连接孔的所述第一焊盘和各所述第二焊盘均与所述导电体连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821428686.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：芯片的焊垫布局结构
- 下一篇：具有焊锡互连的金属柱滤波器芯片封装结构
