[实用新型]偏振态可调谐的太赫兹波发射器有效
| 申请号： | 201821438299.9 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN208847991U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 吴晓君;聂天晓;肖猛;孔德胤 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供了一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器，将超材料层设置在铁磁纳米薄膜层上，超材料层上刻蚀有周期性的“十”字型镂空结构；通过样品架带动铁磁纳米薄膜层旋转，进而带动超材料层旋转，对太赫兹波的偏振态进行调制。本实用新型实施例中将调制偏振态的超材料层集成在太赫兹波发射器内，使从太赫兹发射器出射的太赫兹波的偏振态可控，而不需要在使用其他外部元件实现太赫兹波的偏振态的调制。可实现片上集成的窄带线偏振太赫兹波发射器、窄带椭圆偏振太赫兹波发射器和窄带圆偏振太赫兹波发射器；不仅可实现弱场太赫兹偏振可控的发射器，而且也可用于偏振可调控的强场太赫兹发生器。 | ||
| 搜索关键词： | 太赫兹波 发射器 偏振态 超材料层 窄带 调制 本实用新型 纳米薄膜层 可调谐 偏振 铁磁 太赫兹发射器 太赫兹发生器 片上集成 椭圆偏振 外部元件 镂空结构 可调控 可控的 线偏振 样品架 圆偏振 出射 可控 可用 刻蚀 强场 弱场 字型 | ||
【主权项】：
1.一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器，其特征在于，包括：铁磁纳米薄膜层、超材料层和可旋转的样品架；所述铁磁纳米薄膜层固定在所述样品架上，且所述铁磁纳米薄膜层处于恒定磁场内；所述超材料层设置在所述铁磁纳米薄膜层上，所述超材料层上刻蚀有周期性的“十”字型镂空结构；所述样品架带动所述铁磁纳米薄膜层以及所述超材料层旋转；泵浦激光沿垂直于所述铁磁纳米薄膜层的方向依次透过所述铁磁纳米薄膜层和所述超材料层，产生基于所述超材料层旋转控制偏振态的太赫兹波。
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