[实用新型]p型栅增强型HEMT器件

摘要

本实用新型公开了一种p型栅增强型HEMT器件。所述p型栅增强型HEMT器件包括：包含第一半导体和第二半导体的异质结，在所述异质结中形成有二维电子气；形成于异质结上的p型半导体和高阻半导体；以及源极、漏极和栅极；所述源极、漏极与异质结形成欧姆接触，p型半导体位于栅下区域且与栅极连接，p型半导体用于耗尽栅下区域的二维电子气，高阻半导体位于p型半导体与源极、漏极中任一者之间，且高阻半导体的厚度小于p型半导体的厚度；源极与漏极能够通过二维电子气电连接。本实用新型提供的p型栅增强型HEMT器件不需要二次外延，也不需要对器件的栅下区域进行刻蚀，避免了因刻蚀工艺引入的均匀性、重复性和引入损伤问题。

主权项

1.一种p型栅增强型HEMT器件，其特征在于包括：异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且在所述异质结中形成有二维电子气；形成于所述异质结上的p型半导体和高阻半导体；以及源极、漏极和栅极；所述源极、漏极与异质结形成欧姆接触，所述p型半导体位于栅下区域且与栅极连接，所述p型半导体用于耗尽栅下区域的二维电子气，所述高阻半导体位于p型半导体与源极、漏极中任一者之间，且所述高阻半导体的厚度小于p型半导体的厚度；所述源极与漏极能够通过所述二维电子气电连接。