[实用新型]基于电容补偿的数控衰减器有效

专利信息
申请号: 201821447396.4 申请日: 2018-09-05
公开(公告)号: CN208353311U 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 王利平;郑骎;刘利平;周甲武;郁发新 申请(专利权)人: 浙江铖昌科技有限公司
主分类号: H03H11/24 分类号: H03H11/24
代理公司: 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 代理人: 董世博
地址: 310030 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种基于电容补偿的衰减器,该衰减器包括一个晶体管开关、一个并联衰减电阻、一个并联开路线电容以及匹配传输线,所述衰减器利用开关切换衰减状态和直通状态从而实现相对衰减的控制;本衰减器结构简单,占用面积小,寄生调相、衰减特性带宽良好,在单片集成电路应用中具有较大的优势和应用空间。
搜索关键词: 衰减器 电容补偿 并联 单片集成电路 本实用新型 晶体管开关 匹配传输线 数控衰减器 衰减器结构 优势和应用 开关切换 衰减电阻 衰减特性 衰减状态 直通状态 电容 开路线 寄生 衰减 带宽 占用 应用
【主权项】:
1.基于电容补偿的数控衰减器,其特征在于,包括晶体管开关、电阻、电容和匹配传输线,晶体管开关的源极与电阻的一端、电容的一端连接,电阻和电容并联,电阻的另一端接地;匹配传输线有两段,其中一段匹配传输线的一端与衰减器的输入端连接,另一段匹配传输线的一端与衰减器的输出端连接,两段匹配传输线的另一端与晶体管开关的漏极连接。
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