[实用新型]一种低残压瞬态二极管TVS有效
| 申请号： | 201821454912.6 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN208835070U | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张猛;梁令荣;黄俊 | 申请（专利权）人： | 伯恩半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低残压瞬态二极管TVS，包括衬底、扩区和短路孔；所述衬底上设置与衬底掺杂类型相反的扩区；所述扩区上设置与扩区掺杂类型相反的短路孔；所述短路孔并排间隔设置于扩区上。所述衬底为N型衬底，所述N型衬底上设置P+型扩区，所述P+型扩区上设置N+型短路孔。所述衬底为P型衬底，所述P型衬底上设置N+型扩区，所述N+型扩区上设置P+型短路孔。本实用新型提供的低残压瞬态二极管TVS，通过T2触发实现SCR导通，降低保护电路残压，解决了传统TVS在敏感保护领域的应用问题。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 短路孔 残压 瞬态二极管 本实用新型 掺杂类型 并排间隔设置 应用问题 触发 导通 电路 敏感 | ||
【主权项】：
1.一种低残压瞬态二极管TVS，其特征在于：包括衬底、扩区和短路孔；所述衬底上设置与衬底掺杂类型相反的扩区；所述扩区上设置与扩区掺杂类型相反的掺杂区；并在掺杂区之间设置有短路孔；所述短路孔并排间隔设置于扩区上。
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