[实用新型]一种基于电磁场近场提取导电薄膜表面电导率的测试装置有效

专利信息
申请号: 201821457164.7 申请日: 2018-09-06
公开(公告)号: CN209117761U 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 易达;魏兴昌;杨彦彬 申请(专利权)人: 浙江大学;浙江大学自贡创新中心
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02;G01N27/04
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 周世骏
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及薄膜表面电导率测试技术,旨在提供一种基于电磁场近场提取导电薄膜表面电导率的测试装置。是在导电薄膜的一侧设置电磁发射源,发射电磁波的方向朝向且垂直于导电薄膜;在水平的导电薄膜上下两侧分别放置磁场近场探头和电场近场探头,两个探头与导电薄膜保持相同间距,两者的连线垂直于导电薄膜。本实用新型对导电薄膜的形状、大小并无严苛要求,可以解决在同轴、波导中进行高频测试时,导电薄膜形状加工精度要求较高、误差较大的问题。同时,本实用新型可以测量导电薄膜任意位置、任意频率、任意时刻的表面电导率,得到薄膜的表面电导率随位置、频率、时间的分布情况,有利于提高薄膜应用的可靠性和稳定性。
搜索关键词: 导电薄膜 本实用新型 导电薄膜表面 电导率 表面电导率 测试装置 近场探头 电磁场 近场 垂直 电磁发射源 电导率测试 发射电磁波 电场 薄膜表面 薄膜应用 高频测试 精度要求 上下两侧 形状加工 波导 连线 探头 同轴 薄膜 磁场 测量
【主权项】:
1.一种基于电磁场近场提取导电薄膜表面电导率的测试装置,其特征在于,是在导电薄膜的一侧设置电磁发射源,其发射电磁波的方向朝向且垂直于导电薄膜;电磁发射源与导电薄膜的间距大于2λ,λ为发射电磁波的波长;在水平的导电薄膜上下两侧分别放置磁场近场探头和电场近场探头,两个探头与导电薄膜保持相同间距,两者的连线垂直于导电薄膜。
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