[实用新型]一种MOCVD设备的冷却装置有效
| 申请号： | 201821468148.8 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN208857362U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 董金矿;黄文宾;汪玉;周宏敏;史志结;林兓兓;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/56 | 分类号： | C23C16/56;C23C16/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种MOCVD设备的冷却装置，其至少包括放置石墨盘的底座，所述底座边缘凸起形成支撑架，其特征在于：所述底座上表面具有复数个间隔排列的支撑柱，所述支撑架和支撑柱用于承载石墨盘，所述支撑架内设置有贯通的冷却气体孔。本实用新型的冷却装置改变传统的单一水冷冷却方式，而采用支撑柱、冷却气体以及热传导结构对石墨盘上的晶片进行多种方式的快速冷却，从而提高冷却效率，提高LED的量产。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却装置 石墨盘 支撑架 支撑柱 本实用新型 冷却气体 半导体设备 底座上表面 热传导结构 底座边缘 间隔排列 快速冷却 冷却效率 传统的 复数 晶片 量产 凸起 底座 承载 贯通 | ||
【主权项】：
1.一种MOCVD设备的冷却装置，至少包括放置石墨盘的底座，所述底座边缘凸起形成支撑架，其特征在于：所述底座上表面具有复数个间隔排列的支撑柱，所述支撑架和支撑柱用于承载石墨盘，所述支撑架内设置有贯通的冷却气体孔。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
