[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821472505.8 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN208589443U | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;王珺 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型实施例公开了一种半导体器件，包括：具有多个有源区的衬底，所述有源区包括源漏极区和在所述源漏极区之间的位线接触区，所述有源区在所述源漏极区和所述位线接触区之间设置字线段和掩埋所述字线段的字线绝缘结构，所述位线接触区相对凹陷于所述源漏极区；保护层，形成于所述源漏极区上，所述保护层覆盖所述字线绝缘结构并具有在所述位线接触区上形成的接触通道，所述接触通道连通到所述位线接触区；阻挡层，覆盖所述接触通道的侧壁和底部；位线层，形成在所述接触通道之上且高于所述保护层，且所述位线层覆盖所述阻挡层，所述位线层还具有一体形成在所述接触通道内的位线接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 位线接触区 接触通道 源漏极区 保护层 位线层 源区 半导体器件 绝缘结构 字线段 阻挡层 字线 覆盖 本实用新型 位线接触部 一体形成 侧壁 衬底 连通 掩埋 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：具有多个有源区的衬底，所述有源区包括源漏极区和在所述源漏极区之间的位线接触区，所述有源区在所述源漏极区和所述位线接触区之间设置字线段和掩埋所述字线段的字线绝缘结构，所述位线接触区相对凹陷于所述源漏极区；保护层，形成于所述源漏极区上，所述保护层覆盖所述字线绝缘结构并具有在所述位线接触区上形成的接触通道，所述接触通道连通到所述位线接触区；阻挡层，覆盖所述接触通道的侧壁和底部；位线层，形成在所述接触通道之上且高于所述保护层，且所述位线层覆盖所述阻挡层，所述位线层还具有一体形成在所述接触通道内的位线接触部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821472505.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
