[实用新型]半导体结构及半导体存储器件有效
| 申请号： | 201821481556.7 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN208781855U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 王楚玉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构以及具有该半导体结构的半导体存储器件，该半导体结构包括：具有浅沟槽隔离结构的衬底，所述衬底表面具有多个沟槽；P型阱区，形成于所述衬底的底部；多个栅极组件，形成于所述多个沟槽内，每个栅极组件的一侧为源区，另一侧为漏区；第一离子植入层和第二离子植入层，形成于所述源区和漏区，所述第二离子植入层位于所述第一离子植入层的下方；及第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层位于所述第一离子植入层和第二离子植入层之间，所述第二扩散阻挡层位于所述第二离子植入层的下方。通过在半导体结构中增加扩散阻挡层，可有效改善器件性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 植入层 离子 半导体结构 扩散阻挡层 半导体存储器件 栅极组件 衬底 漏区 源区 浅沟槽隔离结构 本实用新型 衬底表面 器件性能 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：具有浅沟槽隔离结构的衬底，所述衬底表面具有多个沟槽；P型阱区，形成于所述衬底的底部；多个栅极组件，形成于所述多个沟槽内，每个栅极组件的一侧为源区，另一侧为漏区；第一离子植入层和第二离子植入层，形成于所述源区和漏区，所述第二离子植入层位于所述第一离子植入层的下方；及第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层位于所述第一离子植入层和第二离子植入层之间，所述第二扩散阻挡层位于所述第二离子植入层的下方。
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