[实用新型]晶体管及半导体器件有效
| 申请号： | 201821485420.3 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN208923145U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 周步康 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/41 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶体管及半导体器件，栅极结构包括栅导电层，所述栅导电层的底部延伸至所述衬底的第一深度位置，所述栅导电层的顶部位于所述衬底的第二深度位置，以及所述栅导电层的横向宽度尺寸从一预定深度位置至所述第二深度位置逐渐减小，以使所述栅导电层与所述漏区之间的间距尺寸从所述预定深度位置至所述第二深度位置逐渐增加，使所述栅极结构的顶部呈上小下大的结构，从而在栅导电层上施加电压时，栅极结构的顶部与漏区之间的距离更远，减小了半导体器件的栅极与漏极之间的电场，进而减小了GIDL泄露，从而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅导电层 半导体器件 深度位置 栅极结构 预定深度位置 晶体管 衬底 减小 漏区 本实用新型 上小下大 施加电压 逐渐减小 逐渐增加 电场 漏极 泄露 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有一栅极沟槽，并且在所述栅极沟槽两侧的衬底中形成有漏区和源区；以及，栅极结构，形成在所述衬底的所述栅极沟槽中并位于所述源区和所述漏区之间；其中，所述栅极结构包括栅导电层，所述栅导电层的底部延伸至所述衬底的第一深度位置，所述栅导电层的顶部位于所述衬底的第二深度位置，以及所述栅导电层的横向宽度尺寸从预定深度位置至所述第二深度位置逐渐减小，以使所述栅导电层与所述漏区之间的间距尺寸从所述预定深度位置至所述第二深度位置逐渐增加，所述第一深度位置更下沉于所述第二深度位置且所述预定深度位置位于所述第一深度位置和所述第二深度位置之间。
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