[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821485921.1 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN208923146U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件，衬底中形成有定义出有源区的沟槽隔离结构，所述衬底上形成有栅电极，所述栅电极位于所述有源区上并延伸至所述沟槽隔离结构，所述栅电极在所述有源区及所述沟槽隔离结构的交界处具有凸出部，以使所述栅电极在所述交界处的横向宽度尺寸大于所述栅电极位于所述有源区中心区域上的横向宽度尺寸，进而增加了所述交界处的沟道区域的长度，降低了导通电流，能够抑制沟槽隔离结构俘获电子所带来的效应，从而提升器件的性能，且所述凸出部的横向宽度尺寸从所述交界处往所述有源区中心的方向逐渐减小，在增加所述交界处的沟道区域的长度的同时，导通电流不至于下降的太多，从而对器件的导通性能影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 交界处 栅电极 源区 沟槽隔离结构 半导体器件 导通电流 沟道区域 凸出部 衬底 本实用新型 导通性能 提升器件 中心区域 逐渐减小 俘获 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有若干沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构定义出有源区；以及，栅电极，形成于所述有源区上并延伸至所述沟槽隔离结构，其中，所述栅电极在所述有源区及所述沟槽隔离结构的交界处具有横向凸出的凸出部，所述凸出部的横向凸出方向垂直于所述栅电极的延伸方向，以使所述栅电极在所述交界处的横向宽度尺寸大于所述栅电极位于所述有源区中间区域的横向宽度尺寸，且所述凸出部的横向宽度尺寸从所述交界处往所述有源区中心的方向逐渐减小。
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