[实用新型]晶圆热处理腔室有效
| 申请号： | 201821502339.1 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN208706598U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶圆热处理腔室，属于半导体技术领域。该腔室包括壳体；载物台，设于所述壳体内；加热装置，至少部分设于所述壳体内，用于对所述载物台上的物体加热；测温装置，至少部分设于所述壳体内；阻隔板，设于所述载物台与所述测温装置之间。本实用新型可以降低热处理过程中晶圆残留物质挥发的气体对于热处理腔室控温精度的影响，改善晶圆热处理效果。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理腔室 晶圆 本实用新型 测温装置 体内 分设 半导体技术领域 热处理过程 热处理效果 加热装置 物体加热 载物台 阻隔板 挥发 壳体 控温 腔室 种晶 残留 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆热处理腔室，其特征在于，包括：壳体；载物台，设于所述壳体内；加热装置，至少部分设于所述壳体内，用于对所述载物台上的物体加热；测温装置，至少部分设于所述壳体内；阻隔板，设于所述载物台与所述测温装置之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
