[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201821503293.5 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN208767295U | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构，包括：基底；介电层，形成于所述基底上；沟槽，形成于所述介电层中；阻碍层，形成于所述介电层及所述沟槽表面；扩散阻挡层，形成于所述阻碍层上；第一钨种子层，形成于所述扩散阻挡层上；第二钨种子层，形成于所述第一钨种子层上；金属钨块材，形成于所述第二钨种子层上；其中，所述第一钨种子层不含硼，所述第二钨种子层含硼。本实用新型的半导体结构可有效解决现有技术中采用硼烷作为前驱体沉积形成的钨薄膜在后续CMP过程中易剥离的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 钨种子层 半导体结构 介电层 本实用新型 扩散阻挡层 阻碍层 基底 沟槽表面 有效解决 金属钨 前驱体 钨薄膜 易剥离 块材 硼烷 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；介电层，形成于所述基底上；沟槽，形成于所述介电层中；阻碍层，形成于所述介电层及所述沟槽表面；扩散阻挡层，形成于所述阻碍层上；第一钨种子层，形成于所述扩散阻挡层上；第二钨种子层，形成于所述第一钨种子层上；金属钨块材，形成于所述第二钨种子层上；其中，所述第一钨种子层不含硼，所述第二钨种子层含硼。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821503293.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：芯片结构以及电子设备
- 下一篇：硅通孔检测电路和集成电路芯片
