[实用新型]一种新型阵列式硅基二极管有效
| 申请号： | 201821503635.3 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN208835072U | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 深圳市奥伦德元器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型阵列式硅基二极管，包括p型电极、重掺杂p型Si层、Si单晶衬底、阵列式重掺杂n型Si层和n型电极，所述Si单晶衬底的一端面依次层叠设置有所述的重掺杂p型Si层和p型电极，另一端面依次层叠设置有所述的阵列式重掺杂n型Si层和n型电极。本实用新型增设了阵列式重掺杂n型Si层，通过柱阵列的方式增加掺杂扩散的通道数量，大大提高了掺杂效率。同时，通过柱阵列的方式还能够有效减小扩散掺杂造成的残余应力和晶格畸变，有助于提高硅基二极管的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列式 重掺杂 硅基二极管 本实用新型 依次层叠 柱阵列 衬底 单晶 掺杂 残余应力 晶格畸变 扩散掺杂 器件性能 减小 增设 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种新型阵列式硅基二极管，其特征在于：包括p型电极(100)、重掺杂p型Si层(200)、Si单晶衬底(300)、阵列式重掺杂n型Si层(400)和n型电极(500)，所述Si单晶衬底(300)的一端面依次层叠设置有所述的重掺杂p型Si层(200)和p型电极(100)，另一端面依次层叠设置有所述的阵列式重掺杂n型Si层(400)和n型电极(500)。
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