[实用新型]一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构

摘要

本实用新型公开了一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构。包括耗尽型金属氧化物半导体晶体管M₁~M_n、具有低开启电压特性肖特基二极管D₁以及晶体管栅极限流电阻R₁~R_n。M₁漏极连接D₁负极，M₁栅极通过串联限流电阻R₁连接D₁正极。晶体管M₁~M_n栅、漏极相连，即M_n漏极连接M_n‑1源极，从而M₁~M_n源、漏极构成电流通道。同时，M_n栅极通过串联限流电阻与M_n‑1漏极相连接，从而实现对栅、源极之间电压控制，使得M₁~M_n各晶体管漏、源极电流和电压一致性。本实用新型所提供新型二极管拓扑结构保持正向低开启电压、拓展反向截止电压以及减少反向漏电流等优势，可用于无线能量传输技术领域中超宽功率动态范围整流电路设计。

主权项

1.一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构，其特征在于，包括具有低开启电压肖特基二极管D₁，M₁~M_n耗尽型金属氧化物半导体场效应管以及连接在M₁~M_n栅极限流电阻R₁~R_n；M₁漏极连接D₁负极，M₁栅极串联限流电阻R₁并与D₁正极连接；M₁~M_n漏、源极交替连接，即M_n漏极连接M_n‑1源极，以此类推；M_n栅极串联限流电阻R_n与M_n‑1漏极相连接，以此类推。