[实用新型]硅穿孔结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201821513948.7 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN208819867U | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种硅穿孔结构及半导体器件。硅穿孔结构包括：芯片层；形成在芯片层底部的金属垫；穿过芯片层并与金属垫相连接的插塞；形成在芯片层顶部上并与插塞相连接的金属图案；以及同轴气腔套，围绕插塞贯穿芯片层的部分，同轴气腔套具有轴向空隙，轴向空隙的长度大于等于芯片层的厚度。因此，同轴气腔套中的轴向空隙均匀，从而有效的控制了寄生电容，由此获得的器件，性能得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片层 硅穿孔结构 轴向空隙 插塞 气腔 同轴 半导体器件 金属垫 本实用新型 寄生电容 金属图案 穿过 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种硅穿孔结构，其特征在于，包括：芯片层；形成在所述芯片层底部的金属垫；穿过所述芯片层并与所述金属垫相连接的插塞；形成在所述芯片层顶部上并与所述插塞相连接的金属图案；以及同轴气腔套，围绕所述插塞贯穿所述芯片层的部分，所述同轴气腔套具有轴向空隙，所述轴向空隙的长度大于等于所述芯片层的厚度。
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