[实用新型]一种改善晶圆键合空洞的固定结构有效
| 申请号： | 201821519102.4 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN208806242U | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 覃秋军;郭万里;张银 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种改善晶圆键合空洞的固定结构，适用于载体晶圆与器件晶圆的晶圆键合工艺中，其中，固定结构包括：一基座，基座为圆盘形结构；一吸盘，吸盘设置于基座的上表面，吸盘的外缘设置一环形凸缘，环形凸缘用以承载器件晶圆；环形凸缘以内具有复数个锥体结构。本实用新型的技术方案有益效果在于：通过改造吸盘的结构，减小了器件晶圆的下表面与吸盘的的接触面积，使得颗粒杂质位于每两个锥体结构之间的间隙内，避免引起载体晶圆与器件晶圆之间形成空洞，以降低晶圆键合空洞的缺陷率，进而提高晶圆产品的合格率，并且可以适用于不同的三维集成晶圆键合工艺，以达到降低晶圆键合空洞的缺陷率的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 晶圆 吸盘 空洞 固定结构 环形凸缘 本实用新型 锥体结构 缺陷率 圆盘形结构 承载器件 晶圆产品 颗粒杂质 三维集成 吸盘设置 上表面 下表面 复数 减小 合格率 改造 | ||
【主权项】：
1.一种改善晶圆键合空洞的固定结构，适用于载体晶圆与器件晶圆的晶圆键合工艺中，其特征在于，所述固定结构包括：一基座，所述基座为圆盘形结构；一吸盘，所述吸盘设置于所述基座的上表面，所述吸盘的外缘设置一环形凸缘，用以承载所述器件晶圆；所述环形凸缘以内具有复数个锥体结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
