[实用新型]一种提升激光增益的VCSEL芯片有效
| 申请号： | 201821521503.3 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN208548573U | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力;王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种提升激光增益的VCSEL芯片，所述提升激光增益的VCSEL芯片的外延结构中，第一型包覆层、第一限制层、量子阱层、第二限制层和第二型包覆层构成了谐振腔结构，增加了VCSEL芯片的谐振腔结构的腔长，从而增加了谐振腔结构对于量子阱层产生的光线的增益，实现了提高VCSEL芯片的出射光线的功率的目的。并且由于第一限制层和第二限制层的存在，使得电极结构向量子阱层传输的电流仍然可以被第一限制层和第二限制层汇聚，从而实现向量子阱层的大电流的集中注入，保证了VCSEL芯片的基本功能。 | ||
| 搜索关键词： | 限制层 量子阱层 谐振腔结构 激光增益 包覆层 出射光线 电极结构 基本功能 外延结构 大电流 腔长 汇聚 传输 申请 保证 | ||
【主权项】：
1.一种提升激光增益的VCSEL芯片，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括位于所述衬底表面依次层叠设置的第一型包覆层、第一限制层、量子阱层、第二限制层、第二型包覆层和电极接触层；所述第一限制层包括第一导电结构和位于所述第一导电结构两侧的第一氧化结构；所述第二限制层包括第二导电结构和位于所述第二导电结构两侧的第二氧化结构；位于所述电极接触层背离所述衬底一侧的电极结构；所述第一型包覆层、第一限制层、量子阱层、第二限制层和第二型包覆层构成谐振腔结构。
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