[实用新型]三维存储器

摘要

本实用新型涉及一种三维存储器，所述三维存储器包括：提供衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向交替堆叠的牺牲层和绝缘层；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；沿所述沟道孔侧壁对所述牺牲层进行回刻蚀，形成位于相邻绝缘层之间的凹槽；形成至少填充所述凹槽的栅介质层；在所述沟道孔内形成沟道孔结构。上述方法能够降低三维存储器的形成难度，提高形成的三维存储器的性能。

主权项

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的控制栅极和绝缘层；沟道孔结构，贯穿所述存储堆叠结构；所述控制栅极的宽度小于绝缘层的宽度，使得相邻绝缘层之间具有位于所述控制栅极端部与沟道孔结构之间的凹槽；栅介质层，至少填充于所述凹槽内。