[实用新型]一种SOT26双芯高密度框架有效
| 申请号： | 201821533638.1 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN208690250U | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 樊增勇;张明聪;许兵;李宁;李博 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 刘童笛 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术，具体涉及一种SOT26双芯高密度框架，包括矩形片状结构的框架，在框架上设有多个与SOT26封装结构相适应的的芯片安装部，所述芯片安装部为矩形结构，每个芯片安装部内设有2个芯片安置区，2个芯片安置区设置在靠近芯片安装部相对的两个角的位置，且两个芯片安置区以芯片安装部中心点成中心对称布置，并在芯片安装部上对应设有引脚焊接区，所述引脚焊接区为精压压制而成。该高密度框架优化设计增多了芯片布置数量，也增加引脚焊接区的布置面积，保证产品质量和稳定性能；采用精压压制而成的引脚焊接区，使其区域面积更大，表面更平整，可极大提高焊线效率和焊线质量，提高合格率和产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片安装部 焊接区 引脚 芯片安置区 焊线 精压 双芯 压制 半导体制造技术 中心对称布置 封装结构 矩形结构 矩形片状 稳定性能 芯片布置 优化设计 框架本 中心点 合格率 平整 保证 | ||
【主权项】：
1.一种SOT26双芯高密度框架，其特征在于，包括矩形片状结构的框架，在框架上设有多个与SOT26封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部为矩形结构，每个芯片安装部内设有2个芯片安置区，2个芯片安置区设置在靠近芯片安装部相对的两个角的位置，且两个芯片安置区以芯片安装部中心成中心对称布置，并在芯片安装部上对应设有引脚焊接区，所述引脚焊接区为精压压制而成。
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