[实用新型]一种结构简单的AMOLED显示器有效
申请号: | 201821543894.9 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN209056490U | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 曾志远;钟祥桂;苏智昱;黄志杰 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 林志峥 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及AMOLED技术领域,尤其涉及一种结构简单的AMOLED显示器,包括电容区域结构;所述电容区域结构包括玻璃层、透明导电层、绝缘层和半导体层,所述透明导电层、绝缘层和半导体层依次层叠设置在所述玻璃层表面,所述半导体层远离玻璃层的一侧面与外设的第二金属层接触;所述绝缘层、半导体层和透明导电层的厚度比为9.2:6.1:1,可使得整体电容区域结构效果最佳且结构简单,利于应用在AMOLED显示器上。 | ||
搜索关键词: | 半导体层 绝缘层 透明导电层 电容区域 玻璃层 本实用新型 玻璃层表面 第二金属层 区域结构 依次层叠 整体电容 厚度比 外设 侧面 应用 | ||
【主权项】:
1.一种结构简单的AMOLED显示器,其特征在于,包括电容区域结构;所述电容区域结构包括玻璃层、透明导电层、绝缘层和半导体层,所述透明导电层、绝缘层和半导体层依次层叠设置在所述玻璃层表面,所述半导体层远离玻璃层的一侧面与外设的第二金属层接触;所述绝缘层、半导体层和透明导电层的厚度比为9.2:6.1:1;所述透明导电层包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、石墨烯和单壁碳纳米管中的一种或多种;所述透明导电层为复合层,具体采用铟锡氧化物和单壁碳纳米管组成的层状结构,包含铟锡氧化物的层的一侧与玻璃层接触,包含铟锡氧化物的层的另一侧与包含单壁碳纳米管的层的一侧接触,包含单壁碳纳米管的层的另一侧与绝缘层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的