[实用新型]一种硅基单片红外像素传感器

摘要

本申请提供一种硅基单片红外像素传感器，该硅基单片红外像素传感器包括：硅基衬底11；位于硅基衬底11上的缓冲层12；以及位于缓冲层12上的红外探测器13和晶体管14，其中，红外探测器13采用锗锡(GeSn)材料，缓冲层12厚度0.5～2微米，还包括，兼作抗反射层的保护层15，以促进红外探测器13对红外光的吸收。根据本申请，红外探测器采用锗锡(GeSn)材料制备，因此，能够结合锗锡(GeSn)材料在红外波段的高响应特性在标准CMOS工艺下，将光电探测器和晶体管集成在一个硅衬底中以形成单片红外像素传感器。

主权项

1.一种硅基单片红外像素传感器，其特征在于，所述硅基单片红外像素传感器包括:硅基衬底；位于所述硅基衬底上的缓冲层；以及位于所述缓冲层上的红外探测器和晶体管，其中，所述红外探测器采用锗锡(GeSn)材料，所述缓冲层厚度0.5～2微米，还包括，兼作抗反射层的保护层，以促进所述红外探测器对红外光的吸收。