[实用新型]一种具有倒流纵向沟道的MOS器件有效
| 申请号： | 201821553806.3 | 申请日： | 2018-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN209119109U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 黄兴 | 申请（专利权）人： | 黄兴 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400050 重庆市九*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有倒流纵向沟道的MOS器件，通过引入倒流的（与器件整体电流方向相反的）纵向沟道，避免了器件底部电极高压偏置时MOS沟道的势垒降低和栅介质内部电场过高造成的失效。对于碳化硅MOS器件，具有倒流纵向沟道MOS器件的沟道迁移率大大高于横向沟道的MOS器件，同时具备更高的雪崩耐性和更强的短路特性。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向沟道 沟道迁移率 底部电极 短路特性 方向相反 横向沟道 内部电场 整体电流 碳化硅 栅介质 沟道 偏置 势垒 雪崩 引入 申请 | ||
【主权项】：
1.一种具有倒流纵向沟道的MOS器件，所述MOS器件的有源区原胞结构包含：半导体底部区(101)，其正面和背面依次设有第一导电类型半导体漂移区(102)和第一电极(109)；第一导电类型半导体漂移区(102)的顶层中央设有凸起台面(1021)，并在其两侧形成凹槽；凸起台面(1021)外侧设有栅电极(106)，栅电极(106)被栅介质层(105)包围并形成电隔离；凸起台面（1021）侧墙底部与凹槽底部区域的第一导电类型半导体漂移区(102)内，设有与栅介质层(105)相接触的第二导电类型半导体沟道体区(103)；第二导电类型半导体沟道体区(103)内部设有与栅介质层(105)相接触的第一导电类型半导体重掺杂区(104)；栅电极（106）、栅介质层(105)、第二导电类型半导体沟道体区(103)在第一导电类型半导体漂移区(102)顶部凸起台面（1021）的侧墙处形成纵向MOS结构；该纵向MOS结构反型时，在栅介质层(105)与第二导电类型半导体沟道体区(103)的界面上形成第一导电类型载流子沟道，将连接第一导电类型半导体重掺杂区(104)与第一导电类型半导体漂移区(102)形成电联接；第二导电类型半导体沟道体区(103)、第一导电类型半导体重掺杂区(104)同时与设置于凹槽底部平面的欧姆接触层(107)接触，形成等电位；欧姆接触层（107）上方与第二电极（108）接触，形成等电位；其特征在于，所述第一导电类型载流子沟道在第一电极（109）与第二电极（108）施加正电压偏置时，第一导电类型载流子沟道内电流方向为纵向朝上，电流朝着远离第一电极（109）的方向流动。
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