[实用新型]太阳能电池片有效
| 申请号： | 201821556074.3 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN208954997U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;费正洪 | 申请（专利权）人： | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/042 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 韩晓园 |
| 地址： | 224400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种太阳能电池片，其包括硅片；位于所述硅片表面的扩散层，所述扩散层包括轻掺杂区、缓冲掺杂区、重掺杂区，所述重掺杂区位于所述缓冲掺杂区内，轻掺杂区的方阻＞缓冲掺杂区的方阻＞重掺杂区的方阻；电极，所述电极位于所述重掺杂区上并与所述重掺杂区形成欧姆接触。本实用新型的太阳能电池片，通过设置缓冲掺杂区，且缓冲掺杂区的方阻介于轻掺杂区与重掺杂区之间，当由于工艺误差电极与重掺杂区不能完全重合时，缓冲掺杂区可以与偏移的电极形成欧姆接触，由于其掺杂适中，不会导致少子寿命严重偏低，大大改善了电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 重掺杂区 缓冲 掺杂区 方阻 太阳能电池片 轻掺杂区 电极 本实用新型 欧姆接触 扩散层 掺杂 电极形成 工艺误差 硅片表面 少子寿命 偏移 硅片 重合 电池 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池片，其特征在于：所述太阳能电池片包括硅片；位于所述硅片表面的扩散层，所述扩散层包括轻掺杂区、缓冲掺杂区、位于所述缓冲掺杂区内的重掺杂区，轻掺杂区的方阻＞缓冲掺杂区的方阻＞重掺杂区的方阻；电极，所述电极位于所述重掺杂区上并与重掺杂区形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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