[实用新型]耗尽型MOSFET器件有效
| 申请号： | 201821564557.8 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN208819887U | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周永珍 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种耗尽型MOSFET器件，包括：第一导电类型重掺杂衬底，以及在第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型轻掺杂外延层，衬底和外延层构成形成半导体基板；半导体基板上包括有源区、栅极引出区和终端保护区；有源区位于半导体基板中央区域，栅极引出区位于有源区外侧，终端保护区位于有源区和栅极引出区外圈；在有源区内，第一导电类型轻掺杂外延层上部有第二导电类型轻掺杂体区和沟槽状的栅电极，栅电极两侧有第一导电类型耗尽层，栅电极顶部侧面设有第一导电类型源极；栅电极与第一导电类型源极、第一导电类型耗尽层、第二导电类型轻掺杂体)、外延层通过栅氧层电绝缘；本实用新型降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 源区 半导体基板 引出区 栅电极 衬底 耗尽型MOSFET器件 轻掺杂外延层 本实用新型 终端保护区 导电类型 耗尽层 轻掺杂 外延层 重掺杂 源极 栅电极顶部 中央区域 电绝缘 沟槽状 栅氧层 体区 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种耗尽型MOSFET器件，包括：第一导电类型重掺杂衬底(1)，以及在第一导电类型重掺杂衬底(1)上形成的第一导电类型轻掺杂外延层(2)，衬底(1)和外延层(2)构成形成半导体基板；其特征在于，半导体基板上包括有源区(A)、栅极引出区(B)和终端保护区；有源区(A)位于半导体基板中央区域，栅极引出区(B)位于有源区(A)外侧，终端保护区位于有源区(A)和栅极引出区(B)外圈；在有源区(A)内，第一导电类型轻掺杂外延层(2)上部有第二导电类型轻掺杂体区(3)和沟槽状的栅电极(301′)，栅电极(301′)两侧有第一导电类型耗尽层（5），栅电极(301′)顶部侧面设有第一导电类型源极(7)；栅电极(301′)与第一导电类型源极(7)、第一导电类型耗尽层（5）、第二导电类型轻掺杂体区(3)、外延层(2)通过栅氧层电绝缘；在有源区(A)内，有源区(A)内的外延层(2)表面覆盖绝缘介质层(8)，第二导电类型轻掺杂体区(3)上方的绝缘介质层(8)中设有引线孔(9)，源极金属(11)淀积在绝缘介质层(8)表面和有源区(A)内引线孔中，与第二导电类型轻掺杂体区(3)和第一导电类型源极(7)连接；栅电极(301′)通过其顶部的绝缘介质层(8)与源极金属(11)隔离；在栅极引出区(B)内，第一导电类型轻掺杂外延层(2)上部有第二导电类型轻掺杂体区(3)和沟槽状的栅引出结构(302′)，栅引出结构(302′)与第二导电类型轻掺杂体区(3)、外延层(2)通过绝缘氧化层(4)电绝缘；栅极引出区(B)内的外延层(2)表面覆盖绝缘介质层(8)，栅引出结构(302′)上方的绝缘介质层(8)中设有引线孔(9)，栅极金属(10)淀积在在绝缘介质层(8)表面和栅极引出区(B)内引线孔中，与栅引出结构(302′)连接；栅电极(301′)与栅引出结构(302′)通过半导体基板端头的横向沟槽连接。
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