[实用新型]半导体器件有效
申请号: | 201821565690.5 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN211700293U | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 冯鹏;陈面国 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本公开提供一种半导体器件。该半导体器件包括:半导体衬底,其中所述半导体衬底中包括导电沟道;以及栅极结构,位于所述导电沟道之上;其中所述栅极结构对应的所述导电沟道中设置有反态掺杂区,其中所述反态掺杂区的长度小于所述导电沟道的长度。本公开提供的半导体器件,通过对半导体器件的导电沟道中掺杂进行控制,形成非对称结构,可以扩宽漏极一侧导电沟道宽度,使漏极一侧电场远离漏极侧表面,从而减少热载流子注入现象的发生。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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