[实用新型]一种三相全波整流超低频退磁电路有效

专利信息
申请号: 201821575339.4 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN209170239U 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 陈昌华;张利;杨诚;刘昌乐;陈新华;哈曜;刘晓磊;张洪;龚洋道;张思瑞 申请(专利权)人: 南京迪威尔高端制造股份有限公司
主分类号: H02M7/17 分类号: H02M7/17
代理公司: 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 代理人: 张学彪
地址: 210000 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种三相全波整流超低频退磁电路,包括退磁主电路,所述退磁主电路包括第1电感1L00、第1整流电路、第2整流电路、感性负载和电阻RS01。本实用新型的三相全波整流超低频退磁电路,可提供调节大小功率的磁能,利用快速可控硅特征,激发出正反信号的方波脉冲,瞬间的直流脉动放出强大磁势能,产生高功率脉冲激励退磁场。
搜索关键词: 三相全波整流 退磁电路 超低频 本实用新型 整流电路 主电路 退磁 电感 高功率脉冲 快速可控硅 大小功率 方波脉冲 感性负载 正反信号 直流脉动 势能 退磁场 磁能 电阻 激发
【主权项】:
1.一种三相全波整流超低频退磁电路,其特征在于:包括退磁主电路,所述退磁主电路包括第1电感1L00、第1整流电路、第2整流电路、感性负载和保护电阻RSO1,所述第1整流电路包括第11整流电路和第11电感1L11,所述第11整流电路包括第11可控硅153和第12可控硅151,所述第11可控硅153和第12可控硅151首尾相接,所述第11电感1L11的一端连接所述第11整流电路的一端;所述第1整流电路还包括第21整流电路和第21电感1L21,以及第31整流电路和第31电感lL31;所述第2整流电路包括第21整流电路和第21电感1L22,所述第21整流电路包括第21可控硅111和第22可控硅104,所述第21可控硅111和第22可控硅104首尾相接,所述第21电感1L22的一端连接所述第21整流电路的一端:所述第2整流电路还包括第22整流电路和第22电感lL22,以及第32整流电路和第32电感1L32;同上描述;所述第11电感1L11的另一端连接所述第1电感1L00的一端,所述第21电感1L22的另一端连接所述第1电感1L00的另一端;所述感性负载的一端连接所述第1电感1L00的中点,所述第1电感1L00的另一端连接所述保护电阻RS01的一端,所述保护电阻RS01的另一端连接所述第11整流电路的另一端和第21整流电路的另一端。
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