[实用新型]芯片内护城河结构有效
申请号: | 201821582800.9 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN208738220U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供一种芯片内护城河结构,包括基板、扩散阻挡层、介电层、金属互连结构、接合焊垫及钝化保护层,其中,基板上定义有芯片主体区域及环绕芯片主体区域的芯片周边区域;芯片内护城河结构具有护城河凹槽结构,形成于芯片周边区域并且对准于护城河环结构,以阻断晶圆切割应力往所述芯片主体区域传递;护城河凹槽结构包括至少两个分立设置的槽环,其中,槽环往下延伸至介电层中,但未贯穿扩散阻挡层。本实用新型在芯片周边区域布置槽环,槽环环绕芯片主体区域,可以有效阻断晶圆切割应力往芯片主体区域传递,从而防止芯片内裂痕的产生。本实用新型减少了金属材料的使用,不仅可以降低工艺复杂度,提升良率,还有利于降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 芯片主体 槽环 芯片周边区域 本实用新型 芯片 扩散阻挡层 凹槽结构 晶圆切割 区域传递 介电层 基板 环绕 金属互连结构 钝化保护层 工艺复杂度 金属材料 分立设置 接合焊垫 环结构 裂痕 良率 对准 贯穿 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种芯片内护城河结构,其特征在于,包括:基板,所述基板上定义有芯片主体区域及环绕所述芯片主体区域的芯片周边区域;扩散阻挡层,位于所述基板表面,所述基板内埋设有护城河环结构,位于所述芯片周边区域中且遮盖在所述扩散阻挡层之下;介电层,位于所述扩散阻挡层表面;金属互连结构及接合焊垫,位于所述介电层中,所述金属互连结构的导电金属层及所述接合焊垫位于所述芯片主体区域中;钝化保护层,位于所述介电层表面;其中,所述芯片内护城河结构具有开孔形成于所述芯片主体区域以暴露出所述接合焊垫;所述芯片内护城河结构还具有护城河凹槽结构,形成于所述芯片周边区域并且对准于所述护城河环结构,以阻断晶圆切割应力往所述芯片主体区域传递;所述护城河凹槽结构包括至少两个分立设置的槽环,其中,所述槽环往下延伸至所述介电层中,但未贯穿所述扩散阻挡层,所述开孔往下延伸至所述接合焊垫的表面。
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