[实用新型]金属互连结构有效
| 申请号： | 201821593133.4 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN208738214U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/535 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种金属互连结构。通过在衬底中形成开孔，并使导电材料层填充开孔的同时，还进一步凸出于衬底的顶表面，从而在定义上层互连线时，由于上层互连线还同时遮盖开孔，进而能够保留开孔中的导电材料层以构成导电插塞，如此即实现了在同一工艺步骤中同时形成上层互连线和导电插塞，有利于简化金属互连结构的形成工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 开孔 金属互连结构 互连线 导电材料层 导电插塞 上层 衬底 本实用新型 同一工艺 顶表面 填充 遮盖 保留 | ||
【主权项】：
1.一种金属互连结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有开孔；以及，导电材料层，填充在所述开孔中并进一步凸出于所述衬底的顶表面，所述导电材料层中高出于所述衬底的部分构成上层互连线，所述导电材料层中填充在所述开孔中的部分构成导电插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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