[实用新型]一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管有效
| 申请号： | 201821604599.X | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN209508387U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 李国强;徐珍珠;张曙光;高芳亮;温雷;余粤锋 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/58;C23C16/34;C25B1/04;C25B11/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米管。本实用新型采用的Si衬底易获得、面积大、成本低、有利于降低器件成本；本实用新型的(In)GaN纳米管晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 本实用新型 纳米管 生长 可见光光谱 纳米管晶体 降低器件 宽度可调 光电解 禁带 水产 响应 | ||
【主权项】：
1.一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管，其特征在于，包括Si衬底（1），生长在Si衬底（1）上的AlN缓冲层（2），生长在AlN缓冲层（2）上的(In)GaN纳米管（3）。
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