[实用新型]一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统有效
申请号: | 201821605638.8 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN208862005U | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 崔水炜;万肇勇;黄登强;吴章平 | 申请(专利权)人: | 苏州昊建自动化系统有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 朱静谦 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供的一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统,包括:臭氧供给系统,用于供给适量浓度的臭氧和空气混合气体;离线氧化腔体,所述离线氧化腔体为封闭容器,与所述臭氧供给系统相连;所述离线氧化腔体用于承载从生产线取下的硅片,通入臭氧后待反应完成,再将带有二氧化硅膜的硅片放至氮化硅膜生产线。通过增加二氧化硅钝化膜,可以有效减少电位诱导衰减,相比在线生成二氧化硅膜,离线氧化腔体可以使覆膜和其他生产线在不同地点分开进行,而不限于在同一生产线即时完成覆膜,且单次覆膜量较大,每个离线氧化腔体可放置400片硅片,每小时可完成氧化覆膜4000片。 | ||
搜索关键词: | 离线 氧化腔 二氧化硅膜 硅片 臭氧供给系统 生成系统 硅电池 臭氧 覆膜 空气混合气体 本实用新型 同一生产线 单次覆膜 氮化硅膜 电位诱导 二氧化硅 封闭容器 氧化覆膜 有效减少 在线生成 钝化膜 取下 衰减 承载 | ||
【主权项】:
1.一种用于硅电池的二氧化硅膜离线生成系统,其特征在于,包括:臭氧供给系统,用于供给设定臭氧浓度的臭氧混合气体;离线氧化腔体(1),为与所述臭氧供给系统相连的封闭容器;所述离线氧化腔体(1)用于承载从生产线取下的硅片,所述硅片在所述离线氧化腔体内反应形成二氧化硅膜。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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