[实用新型]表面粗化的纳米孔LED阵列芯片

摘要

本实用新型公开了一种表面粗化的纳米孔LED阵列芯片，包括四个发光单元通过金属线连接实现串联，金属线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离；发光单元的有源区的直径是100μm至200μm之间；整个芯片表面都具有纳米孔，纳米孔的直径是300nm至1000nm之间。本实用新型使用负胶光刻和电子束蒸发沉积制备电极时，沉积四层金属薄膜之后，新增一层介质薄膜；同时，采用条状介质绝缘层隔离金属电极与半导体材料，在金属电极以外的其它区域没有介质薄膜；其中有源区域的纳米孔提高了辐射复合速率，整个芯片表面的纳米孔构成了表面粗化，都有利于光子模式的逸出，提高出光效率和调制带宽。

主权项

1.一种表面粗化的纳米孔LED阵列芯片，其特征在于：包括四个发光单元、正电极焊盘和负电极焊盘，所述四个发光单元通过绝缘衬底的支撑呈2 × 2阵列分布，相邻发光单元的正电极通过金属线串联连接，所述金属线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离，所述半导体材料包括电流扩展层和GaN材料层；所述发光单元的有源区的直径是100μm至200μm；所述芯片表面分布有纳米孔，纳米孔的直径是300nm至1000nm；在有源区域，纳米孔的深度从钝化层延伸至超过量子阱层深度50nm以上；在GaN材料层的N型GaN材料区域，纳米孔的深度从钝化层深入到GaN材料；在金属电极区域，纳米孔分布在钝化层中且纳米孔的底部有介质薄膜；在蓝宝石衬底区域，纳米孔分布在钝化层中且纳米孔底部为蓝宝石衬底。