[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821629141.X | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN208819868U | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 戈登·M·格里芙尼亚;S·ST·日尔曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括半导体管芯，所述半导体管芯包括第一半导体材料、形成于所述第一半导体材料上的第二半导体材料以及在所述第二半导体材料上的管芯附接区域；导电层，所述导电层在所述第二半导体材料的表面上，从管芯附接区域内延伸到管芯附接区域外；在所述导电层之上的绝缘层，位于所述管芯附接区域内的绝缘层具有第一开口，位于所述管芯附接区域外的绝缘层具有第二开口；以及互连结构，所述互联结构包括管芯附接区域，其中所述半导体管芯设置在所述互连结构的所述管芯附接区域的上方；其中所述半导体管芯通过所述绝缘层中的所述第一开口电连接到所述导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 附接区域 管芯 半导体材料 绝缘层 半导体管芯 导电层 半导体器件 互连结构 开口 本实用新型 互联结构 电连接 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体管芯，所述半导体管芯包括第一半导体材料、形成于所述第一半导体材料上的第二半导体材料以及在所述第二半导体材料上的管芯附接区域；导电层，所述导电层在所述第二半导体材料的表面上，从管芯附接区域内延伸到管芯附接区域外；在所述导电层之上的绝缘层，位于所述管芯附接区域内的绝缘层具有第一开口，位于所述管芯附接区域外的绝缘层具有第二开口；以及互连结构，所述互连结构包括管芯附接区域，其中所述半导体管芯设置在所述互连结构的所述管芯附接区域的上方；其中所述半导体管芯通过所述绝缘层中的所述第一开口电连接到所述导电层。
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