[实用新型]相移掩膜版及相移掩模光刻设备有效
申请号: | 201821631386.6 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN208737211U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种相移掩膜版及相移掩模光刻设备,相移掩膜版包括透明光刻板基板;透明光刻板基板的上表面包括沿预定方向延伸且交替排列的第一和第二透光区;第一透光区包括沿预定方向依次间隔交替排列的第一和第二相移区,第二透光区包括沿预定方向依次间隔交替排列的第四和第三相移区;光刻板基板的下表面包括多个沿预定方向延伸的不透光图形区,其同时部分遮蔽第一和第二相移区以及第四和第三相移区。透过第一与第二相移区的出射光束、第一与第三相移区的出射光束、第一与第四相移区的出射光束之间分别具有90、180度、270度的相位差,这样在晶圆表面形成的暗区图案为完全的暗区,提高了晶圆表面的光刻图形的图像分辨率。 | ||
搜索关键词: | 预定方向 出射光束 相移掩膜 第二相 第三相 光刻板 透光区 基板 光刻设备 间隔交替 晶圆表面 相移掩模 暗区 本实用新型 图像分辨率 光刻图形 交替排列 透明 不透光 上表面 图形区 下表面 相位差 相移区 延伸 遮蔽 图案 | ||
【主权项】:
1.一种用于制备柱状结构的相移掩膜版,其特征在于,包括:透明光刻板基板;所述透明光刻板基板的上表面包括多个沿预定方向延伸的第一透光区和第二透光区,所述第一透光区和第二透光区交替排列;各所述第一透光区包括沿所述预定方向依次间隔交替排列的第一相移区和第二相移区,各所述第二透光区包括沿所述预定方向依次间隔交替排列的第四相移区和第三相移区;所述透明光刻板基板的下表面包括多个沿所述预定方向延伸的不透光图形区,各所述不透光图形区同时部分遮蔽各所述第一透光区中的所述第一相移区和所述第二相移区,并同时部分遮蔽各所述第二透光区中的所述第四相移区和所述第三相移区;其中,透过所述第一相移区的出射光束与透过所述第二相移区的出射光束之间具有90度的相位差,透过所述第一相移区的出射光束与透过所述第三相移区的出射光束之间具有180度的相位差,透过所述第一相移区的出射光束与透过所述第四相移区的出射光束之间具有270度的相位差。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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