[实用新型]晶圆缓冲站及半导体设备有效
| 申请号： | 201821642379.6 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN208923059U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘洪浩;张文福;高英哲 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶圆缓冲站，其包括用于转移晶圆的转移腔体，转移腔体上设置有晶圆进出口；及至少一个用于暂存晶圆的缓存腔体，与转移腔体上下叠置，缓存腔体包括晶圆进出口以及用于给晶圆加热的加热器，加热器位于缓存腔体的内部。待处理的晶圆暂存在缓存腔体内，以根据工艺处理的需要传到工艺腔室内进行工艺处理，完成工艺处理后的晶圆将移至转移腔体内，通过转移腔体转移到下一个工作站点。本实用新型的晶圆缓冲站，可以对暂存的待处理晶圆进行预加热，避免因温度差异造成的热损伤，减少生产原料的浪费，提高设备运转率。采用本实用新型的半导体设备，有利于工艺管控，有助于生产良率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 转移腔体 缓存腔 本实用新型 工艺处理 缓冲 加热器 半导体设备 暂存 体内 工作站点 上下叠置 设备运转 生产原料 温度差异 进出口 工艺腔 热损伤 预加热 转移腔 管控 良率 种晶 加热 室内 生产 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆缓冲站，其特征在于，包括：用于转移晶圆的转移腔体，所述转移腔体上设置有晶圆进出口；至少一个用于暂存晶圆的缓存腔体，所述缓存腔体与所述转移腔体上下叠置，所述缓存腔体包括晶圆进出口以及用于给晶圆加热的加热器，所述加热器位于所述缓存腔体的内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
