[实用新型]半导体薄膜结构

摘要

本实用新型提供一种半导体薄膜结构，包括第一膜层、第二膜层、第三膜层及第四膜层，各膜层的材质相同，其中，第一膜层位于一晶圆表面，第一膜层的厚度自晶圆中心向晶圆边缘逐渐增大；第二膜层位于第一膜层表面，且厚度自晶圆中心向晶圆边缘逐渐减小；第三膜层位于第二膜层表面，且厚度自晶圆中心向晶圆边缘逐渐增大；第四膜层位于第三膜层表面，且厚度自晶圆中心向晶圆边缘逐渐减小。本实用新型的半导体薄膜结构，各个膜层之间紧密贴合且在各个径向上的厚度形成良好的互补，使得整个半导体薄膜结构非常稳定，有利于后续器件的形成，有助于生产良率的提高。

主权项

1.一种半导体薄膜结构，其特征在于：所述半导体薄膜结构包括第一膜层、第二膜层、第三膜层及第四膜层，所述第一膜层、所述第二膜层、所述第三膜层及所述第四膜层的材质相同，其中，所述第一膜层位于一晶圆表面，所述第一膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐增大；所述第二膜层位于所述第一膜层表面，且所述第二膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐减小；所述第三膜层位于所述第二膜层表面，且所述第三膜的层厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐增大；所述第四膜层位于所述第三膜层表面，且所述第四膜层的厚度自所述晶圆中心向所述晶圆边缘逐渐减小。