[实用新型]晶圆刻蚀设备有效
| 申请号： | 201821664178.6 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN208753278U | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘洪浩;张文福;高英哲 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶圆刻蚀设备，包括：刻蚀腔体；与所述刻蚀腔体连接的回收槽，用于存储从所述刻蚀腔体内排出的刻蚀液，并循环输出至所述刻蚀腔体；浓度检测装置，连接至所述回收槽，用于检测所述回收槽内的刻蚀液浓度；补液管路，连通至所述回收槽，与所述浓度检测装置连接，用于当所述回收槽内的刻蚀液浓度低于一设定值时，向所述回收槽内补充初始刻蚀液，所述初始刻蚀液的浓度大于所述回收槽内的刻蚀液浓度。所述晶圆刻蚀设备在刻蚀过程中进入刻蚀腔室内的刻蚀液浓度稳定，可通过刻蚀时间准确控制对晶圆的刻蚀厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 回收槽 刻蚀液 刻蚀腔体 刻蚀设备 晶圆 浓度检测装置 刻蚀腔 刻蚀 本实用新型 补液管路 刻蚀过程 浓度稳定 准确控制 排出 种晶 连通 存储 室内 体内 输出 补充 检测 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆刻蚀设备，其特征在于，包括：刻蚀腔体；与所述刻蚀腔体连接的回收槽，用于存储从所述刻蚀腔体内排出的刻蚀液，并循环输出至所述刻蚀腔体；浓度检测装置，连接至所述回收槽，用于检测所述回收槽内的刻蚀液浓度；补液管路，连通至所述回收槽，与所述浓度检测装置连接，用于当所述回收槽内的刻蚀液浓度低于一设定值时，向所述回收槽内补充初始刻蚀液，所述初始刻蚀液的浓度大于所述回收槽内的刻蚀液浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
