[实用新型]一种高硼掺杂P型衬底TVS器件外延片有效
| 申请号： | 201821665467.8 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN208722885U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 朱军;杨敏红;单慧;刘韵吉 | 申请（专利权）人： | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 211113 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高硼掺杂P型衬底TVS器件的外延片，在TVS器件外延片的P++衬底上设有氧化层加多晶硅层作为外延片衬底背面的密封材料，氧化层为二氧化硅，在P++衬底材料上进行热氧化生成，二氧化硅层的厚度在0.1‑1.5微米；在二氧化硅层表面设有多晶硅层，多晶硅的厚度在0.1‑2.0微米。 | ||
| 搜索关键词： | 外延片 衬底 多晶硅层 掺杂P型 氧化层 高硼 二氧化硅层表面 二氧化硅层 衬底材料 二氧化硅 密封材料 多晶硅 热氧化 | ||
【主权项】：
1.一种高硼掺杂P型衬底TVS器件的外延片，其特征是，在TVS器件外延片的P++衬底上设有氧化层加多晶硅层作为外延片衬底背面的密封材料，氧化层为二氧化硅层，二氧化硅层的厚度在0.1‑1.5微米；在二氧化硅层表面设有多晶硅层，多晶硅的厚度在0.1‑2.0微米。
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