[实用新型]一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器有效
| 申请号： | 201821678879.5 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN209016430U | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该高频垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，衬底背面形成有N型电极层；N型层和P型层均包括多层反射层；发光层、电流限制层和P型层暴露N型层的边缘区域；N型层暴露所述衬底的边缘区域；N型层边缘设置有连通N型层的多层反射层的导电层；电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；P型层包括与绝缘区域对应的暴露区域，暴露区域暴露P型层中的底层的反射层；P型电极层覆盖包括暴露区域的P型层，P型电极层包括与电流注入区域对应的出光孔。本申请实施例提高了垂直腔面发射激光器芯片的高频敏感性。 | ||
| 搜索关键词： | 腔面发射激光器 电流限制层 暴露区域 高频垂直 反射层 衬底 电流注入区域 边缘区域 绝缘区域 激光器 芯片 发光层 多层 暴露 垂直腔面发射激光器芯片 边缘设置 衬底背面 出光孔 导电层 连通 申请 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高频垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，所述衬底背面形成有N型电极层；所述N型层和所述P型层均包括多层反射层；所述发光层、所述电流限制层和所述P型层暴露所述N型层的边缘区域；所述N型层暴露所述衬底的边缘区域；所述N型层边缘设置有连通所述N型层的多层反射层的导电层；所述电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；所述P型层包括与所述绝缘区域对应的暴露区域，所述暴露区域暴露所述P型层中的底层的反射层；所述P型电极层覆盖包括所述暴露区域的P型层，所述P型电极层包括与所述电流注入区域对应的出光孔。
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