[实用新型]硅基太阳能电池及光伏组件有效
| 申请号： | 201821681716.2 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN209232797U | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陈孝业;蒋秀林 | 申请（专利权）人： | 晶澳太阳能有限公司;晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/042 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 055550 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅基太阳能电池及光伏组件，属于太阳能电池技术领域。该硅基太阳能电池包括：P型晶体硅基体，设置在所述P型晶体硅基体正面的发射极层，设置在所述发射极层上的正面隧穿钝化层，设置在所述正面隧穿钝化层局部区域上的第V族元素掺杂的正面掺杂硅层，设置在所述正面掺杂硅层以及所述正面隧穿钝化层未设置所述正面掺杂硅层的区域上的减反射层，以及，设置在所述减反射层上的正面电极；其中，所述正面电极穿过所述减反射层与所述正面掺杂硅层欧姆接触。该硅基太阳能电池壳在保证钝化效果的前提下，减少掺杂硅层对光线的吸收，有利于提高硅基太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基太阳能电池 掺杂硅层 减反射层 钝化层 隧穿 发射极层 光伏组件 正面电极 太阳能电池技术 光电转换效率 本实用新型 第V族元素 钝化效果 基体正面 局部区域 欧姆接触 掺杂的 穿过 吸收 保证 | ||
【主权项】：
1.一种硅基太阳能电池，所述硅基太阳能电池包括：P型晶体硅基体，设置在所述P型晶体硅基体正面的发射极层，设置在所述发射极层上的正面隧穿钝化层，设置在所述正面隧穿钝化层局部区域上的第V族元素掺杂的正面掺杂硅层，设置在所述正面掺杂硅层以及所述正面隧穿钝化层未设置所述正面掺杂硅层的区域上的减反射层，以及，设置在所述减反射层上的正面电极；其中，所述正面电极穿过所述减反射层与所述正面掺杂硅层欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
