[实用新型]晶圆冷却装置有效
申请号: | 201821691202.5 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN208767266U | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 邱宇航;周颖;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种晶圆冷却装置,包括:晶圆承载盘;与晶圆承载盘密封连接的冷却腔;设置于冷却腔内的毛细管路,毛细管路具有进气口及出气口且在立体空间呈盘绕结构;与进气口连接的高压气体管路;与出气口连接的低压气体管路;与高压气体管路连接的高压气体源。采用本方案的晶圆冷却装置,由于晶圆冷却过程中不需要接触其他冷媒,比如冷却液,晶圆转移臂等外界物质,可降低晶圆的污染风险;另外,该晶圆冷却装置可直接集成在工艺腔体中,当需要冷却晶圆时,不必将晶圆转移至专门的晶圆冷却装置,降低提供专门晶圆冷却装置的设备成本,同时可提高产能。 | ||
搜索关键词: | 晶圆冷却装置 晶圆 高压气体管路 晶圆承载盘 毛细管路 出气口 冷却腔 进气口 低压气体管路 本实用新型 高压气体源 进气口连接 工艺腔体 冷却过程 冷却装置 立体空间 密封连接 设备成本 外界物质 冷却液 转移臂 盘绕 产能 冷媒 种晶 冷却 污染 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆冷却装置,其特征在于,所述晶圆冷却装置包括:晶圆承载盘;与所述晶圆承载盘密封连接的冷却腔;设置于所述冷却腔内的毛细管路,所述毛细管路具有进气口及出气口且在立体空间呈盘绕结构;与所述进气口连接的高压气体管路;与所述出气口连接的排气气体管路;与所述高压气体管路连接的高压气体源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造