[实用新型]一种半导体晶圆湿法蚀刻装置有效
| 申请号： | 201821708415.4 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN208923040U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 江富杰 | 申请（专利权）人： | 合肥新汇成微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体晶圆湿法蚀刻装置，包括主体外壳、刻蚀腔体、药液槽、循环泵和调温装置，所述主体外壳内壁位于刻蚀腔体和药液槽间固定连接有引流板，所述引流板上等距间隔设有多个蚀刻液进酸孔和蚀刻液抽酸孔，所述调温装置的输入端与循环泵的输出端连接，调温装置的输出端还连接有过滤装置，所述过滤装置的输出端通过输送管道与蚀刻液进酸孔连接，所述蚀刻液抽酸孔通过回流管道与循环泵的输入端连接。本实用新型通过利用循环系统，将蚀刻液经由前述之引流板，使蚀刻液由进酸孔注入蚀刻槽内或将蚀刻液由蚀刻液抽酸孔抽出刻蚀腔体外，藉由不断重复的注入与抽取蚀刻液所形成的流场变化搭配晶圆自转，达到晶圆蚀刻的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻液 调温装置 刻蚀腔体 抽酸孔 循环泵 引流板 酸孔 湿法蚀刻装置 半导体晶圆 本实用新型 过滤装置 输出端 药液槽 晶圆 主体外壳内壁 输出端连接 输入端连接 蚀刻 等距间隔 回流管道 流场变化 输送管道 循环系统 主体外壳 蚀刻槽 输入端 自转 抽取 搭配 抽出 重复 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆湿法蚀刻装置，包括主体外壳(1)、刻蚀腔体(2)、药液槽(3)、晶圆自转机构(4)、循环泵(5)和调温装置(6)，其特征在于，所述主体外壳(1)内壁位于刻蚀腔体(2)和药液槽(3)间固定连接有引流板(7)，所述引流板(7)上等距间隔设有多个蚀刻液进酸孔(8)和蚀刻液抽酸孔(9)，所述调温装置(6)的输入端与循环泵(5)的输出端连接，调温装置(6)的输出端还连接有过滤装置(10)，所述过滤装置(10)的输出端通过输送管道(11)与蚀刻液进酸孔(8)连接，所述蚀刻液抽酸孔(9)通过回流管道(12)与循环泵(5)的输入端连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
